HYB25DC512800CE-6,HYB25DC512800CE-6 pdf中文资料,HYB25DC512800CE-6引脚图,HYB25DC512800CE-6电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYB25DC512800CE-6

HYB25DC512800CE-6: 产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共88页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HYB25DC512800CE-6概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66

HYB25DC512800CE-6规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSSOP,
针数	66
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

HYB25DC512800CE-6相似产品对比

	HYB25DC512800CE-6	HYB25DC512160CE-6	HYB25DC512800CF-6	HYB25DC512160CF-6	HYB25DC512160CE-5	HYB25DC512800CF-5	HYB25DC512160CF-5	HYB25DC512800CE-5
描述	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	BGA	BGA	TSOP2	BGA	BGA	TSOP2
包装说明	TSSOP,	TSSOP,	TBGA,	TBGA,	TSSOP,	TBGA,	TBGA,	TSSOP,
针数	66	66	60	60	66	60	60	66
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PDSO-G66	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm	22.22 mm	12 mm	12 mm	22.22 mm	12 mm	12 mm	22.22 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	16	8	16	16	8	16	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	66	66	60	60	66	60	60	66
字数	67108864 words	33554432 words	67108864 words	33554432 words	33554432 words	67108864 words	33554432 words	67108864 words
字数代码	64000000	32000000	64000000	32000000	32000000	64000000	32000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX8	32MX16	64MX8	32MX16	32MX16	64MX8	32MX16	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TSSOP	TBGA	TBGA	TSSOP	TBGA	TBGA	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	1 mm	1 mm	0.65 mm	1 mm	1 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10 mm	10 mm	10.16 mm	10 mm	10 mm	10.16 mm

推荐资源

PPPoE拨号上网问题！: 我在wince实现PPPoE拨号上网，现在可以拨号成功了，不过就是上不了网，ping也不通，哪位朋友遇到过这种情况，帮帮忙。谢谢！...; hellovla 嵌入式系统

电力行业企业高薪招聘嵌入式开发人员！！: 欢迎满足以下条件之一的有识之士与我们联系，公司网址：www.nerc.com.cn，发送简历邮箱地址：whl668@epri.ac.cn。1.具有2年以上电力行业嵌入式产品开发经验。2.电力系统自动化、继电保护等电力相关专业毕业，2年以上嵌入式产品开发经验。3.具有2年以上、4层以上PCB板制作经验。4.具有2年以上电力行业嵌入式产品电路设计经验。...; seafarer 嵌入式系统

dup和fork函数执行后的文件情况: 对于dup和fork函数来说，前者是复制一个文件描述符，后者是复制进程，同时相关的文件信息也会被复制。一、对于Dup之前已经知道，对于一个进程来说，有一个files_struct来管理所有的相关文件，最终的反应形式其实就是一个文件数组而已：所谓文件描述符就是数组下标。Dup函数总是从数组第一个元素开始扫描，获取第一个可用的文件描述符(也就是没有关联实际文件的fd)，这就是所谓：dup总是使用最小的...; 灞波儿奔 DSP 与 ARM 处理器

在WinCE下可以用DirectShow播放MPEG4视频文件的问题??求教!!!: 各位高手:求教!我在EVC中利用DirectShow开发出的播放器,播放WMV格式的文件时,只有声音,没有视频!在WINCE的OS 设计中,改加的feature 也都有加了!不知为什么?还请各位高手赐教?...; moto_jfx WindowsCE

网上惊现-----STM32F207芯片!!!: 下载 (211.05 KB)2010-12-15 12:04...; LINZI stm32/stm8

Platform Builder 5，问个极端弱智的问题: 几个月前用过pb 5.0，现在又捡起来了，结果发现Workspace->FileView下的内容好像变了。根目录下主要有三项，PLATFORM、PRIVATE和public。其中Private和public下主要是通用Wince 5.0的内容，而PLATFORM里应该是与板子有关的BSP的内容吧。现在的情况是，PLATFORM这一级无法再展开了，里面什么内容都没有。而实际的目录结构里，PLATFO...; xx_replayer 嵌入式系统

两种PWM变换器无源软开关方法的比较分析

1　引言　　近年来，随着开关电源频率的不断提高，所产生的开关损耗、电磁干扰（EMI）、尖峰电压、尖峰电流等问题引起了人们的极大关注，为克服上述问题，提出了很多软开关的方法。其中，有源软开关技术比较成熟，在大功率场合应用广泛，取得了理想的效果。但是，它需要额外的有源开关以及相应的控制、检测、驱动电路，结构复杂，成本较高，对于较小的功率场合则显得很不经济。而无源软开关技术只用一些无源器件来实...[详细]
LED产业发展需加快标准制定及核心研发

　　根据国家淘汰白炽灯路线图，从今年起，我国照明行业将加速迈入“节能时代”。政府的千亿采购大单及补贴政策也纷纷出台。有专家预测，最快到2015年，LED在中国照明市场的占有率将达到20%，带动产业规模达5000亿元。然而，LED照明产品在我国市场的普及速度却未跟上利好政策的脚步。由于投资过热、成本尚高、缺乏标准，国内下游需求并未有效激发，LED产业出现了产能过剩和无序竞争的状况。有专家表示，LE...[详细]
山东退休技师变废铁为“机器人” 创意令人叫绝

走进位于唐村镇驷马庄村刘孔华的小院子，仿佛走进了“机器人”世界，门口西侧一个9米多高的机器人“大黑妖”，东侧是一个5米多高的机器人“大力士”，还有一个3米多高的机器人“小魔兽”正在进行最后制作之中，仔细看才发现，机器人全身都是报废的摩托车、煤气罐、报废汽车配件等组装而成，摩托车的排气管子焊接在了机器人的手臂上，远看如同机器人发达的肌肉；煤气罐切割开，放在肚子的部位，几个拼结而成，十分逼真；还有汽...[详细]
如何利用LiDAR实现深度感测

LiDAR 的全称是Light Detection and Ranging(激光探测及测距)，是一种利用激光感测距离的方法，它会测量激光从物体反射回来所用的时间而达到测距的目的。根据具体应用，可以使用不同的波长，但最常用的是红外线(IR)。大多数时候，人脑擅长推断物体的相对深度/距离和大小，这是人类的一种本能，尤其是在驾驶车辆时。但成像系统却很难做到这一点，尤其是标准图像传感器是用2D图像...[详细]
电子制造技术创新成产业发展助推器

近年来，电子产业已成为国民经济战略性、基础性、先导性支柱产业，中国已经成为当之无愧的全球电子制造中心。产业内日益激烈的竞争和持续提升的电子制造技术，对生产设备的灵活性不断提出更高的要求，这对电子厂商形成了前所未有的新挑战，同时也为相关产业带来无限的市场机遇。如何在风云变幻的市场环境下既能应对挑战又能把握机遇、赢得先机是整个行业都在思考和关注的焦点问题。华南地区作为我国最大的电子产...[详细]
基于LM105的15V跟踪稳压电源电路

LM105的工作温度为-55～+125℃，2N3740集电极最大直流耗散功率Pcm_W：25,集电极最大允许直流电流Icm_A：-1,集电极_基极击穿电压BVcbo_V：-60,特征频率ft_Hz：3M,国产管参考型号：3CA10D。基于 LM105 的15V跟踪稳压电源电路如下所示： ...[详细]
宁德时代公开两项“固态电解质”相关专利

据天眼查APP显示，1月19日，宁德时代新能源科技股份有限公司公开了一项“一种固态电解质的制备方法”相关专利与“一种硫化物固态电解质片及其制备方法”相关专利。前者专利申请号为2019106420358，申请公布号为CN112242556A，申请公布日为2021年1月19日，其摘要显示，本申请提供了一种固态电解质的制备方法，包括：将锂前体、中心原子配体分散于有机溶剂中，形成反应初混液；将硼酸...[详细]
故障率不断上升 iPhone竟然比Android手机不靠谱

据科技公司Blancco的一份报告显示，iPhone手机相比Android系统手机更加不靠谱，这是由于在过去的一年中，其出现了众多性能问题，以及极高的故障率所导致的。　　从报告中我们看到，iOS设备在2015年Q4季度的故障率为15%，但在随后的一段时间里，其故障率开始飙升，到2016年第四季度，iOS设备的故障率竟然高达62%！相比之下，Android设备故障率由2015年Q4季度的85%，...[详细]
英特尔告诉你5G基站芯片凌动P5900有何玄机？

释放5G的全部潜力，需要从核心到边缘实现网络基础设施的转型。作为全球领先的网络芯片供应商，英特尔正在驱动和引领这一转型。今天，英特尔宣布推出一系列硬件和软件产品，其中包括全新英特尔®凌动™P5900，这是一款面向无线基站的10纳米片上系统(SoC)，也是5G网络的关键早期部署目标。英特尔公司执行副总裁兼数据平台事业部总经理孙纳颐（Navin Shenoy）表示，“随着产业迈向5G，我...[详细]
Limata X3000激光直接成像系统，具有超大图像尺寸曝光精度

Limata，一家专为PCB领域制造和相关邻近市场提供激光直接成像(LDI)系统的研发创新型公司，发布了其最新一代的X3000激光直接成像(LDI)系统。该平台可以处理最大的PCB面板的干膜和阻焊激光直接成像，而不影响其最高精度标准的对位精度和精细的解析分辨率。目前标准的PCB面板尺寸通常是24 x 18 ，但如今对更大的面板(通常是24 x 36 或更大)的需求不断增加，同时也需要生...[详细]
“内容营销+搜索”是交互营销时代的最佳选择

“内容营销正在被越来越多的广告主和市场人员所关注，但如何才能发挥其最大的效果却一直令他们感到困惑。面对这种状况，我们究竟该怎样做？”在9月2日盛大揭幕的互联网产业年度盛会“2011百度世界大会”上，国际搜索引擎营销专家组织主席杰夫.普鲁特（JeffreyPruitt）一上台便开宗明义。杰夫.普鲁特（JeffreyPruitt）在百度世界上做嘉宾演讲已经是第四次参加百度世...[详细]
瑞萨电子宣布推出新型SiGe:C异质接面晶体管

2011年9月13日日本东京讯—高级半导体厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并达到领先业界的低噪声效能。新款SiGe:C HBT晶体管...[详细]
芯原戴伟民：RISC-V要借鉴Linux专利联盟，保护相关企业利益

日前，在第三届滴水湖中国RISC-V产业论坛期间，中国RISC-V产业联盟理事长，芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民表示，目前RISC-V还不存在相关专利诉讼问题，但并不意味着专利不存在风险。如果说RISC-V开源指令集是“字典”，“字典”里拿出来的东西没问题，但是从字典到文章，就有可能存在侵权问题。戴伟民以微软与Linux的案例解释了专利问题。过去，微软作为闭源公司的典型代表...[详细]
伺服驱动器在并联机器人上的应用

1、概述并联机器人是一类全新的机器人，它具有刚度大、承载能力强、精度高、自重负荷比小、动力性能好、控制容易等一系列优点，在人力成本日益增加的时代，这项技术广泛应用于包装行业的各个领域，例如食品饮料，药品，物流等多个行业，用于实现快速抓取，提高工作效率。随着先进制造技术的发展，并联机器人将有非常好的发展前景。近几年国内各机器人制造商及设备制造企业纷纷开始研发Delta并联机器人。但是由于...[详细]
Foretellix亮相第七届进博会，展示前沿自动驾驶系统测试验证技术

在第七届中国国际进口博览会（CIIE）上，Foretellix展示了面向ADAS和自动驾驶系统的安全驱动型测试验证平台——Foretify™，引领自动驾驶系统测试验证技术的前沿进展。 Foretify™是一款安全驱动型测试和验证平台，原生支持基于OpenSCENARIO DSL（即OSC 2.0）的抽象场景规范。平台通过智能的约束随机求解器，在虚拟仿真环境中生成数以百万计的驾驶场景并进...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多