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IRF3706LPBF

产品描述MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小348KB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRF3706LPBF概述

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC

IRF3706LPBF规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-262-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current77 A
Rds On - Drain-Source Resistance10.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage12 V
Qg - Gate Charge23 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Tube
Fall Time4.8 ns
高度
Height
9.45 mm
长度
Length
10.2 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
88 W
Rise Time87 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3200
Transistor Type1 N-Channel
类型
Type
Smps MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time17 ns
Typical Turn-On Delay Time6.8 ns
宽度
Width
4.5 mm
单位重量
Unit Weight
0.084199 oz

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PD - 93936C
SMPS MOSFET
Applications
l
High Frequency DC-DC Isolated
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l
IRF3706
IRF3706S
IRF3706L
HEXFET
®
Power MOSFET
V
DSS
20V
R
DS(on)
max
8.5mΩ
I
D
77A†
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
l
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRF3706
D
2
Pak
IRF3706S
TO-262
IRF3706L
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Max.
20
± 12
77
54
280
88
44
0.59
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
W/°C
°C
h
e
P
D
@T
C
= 100°C Maximum Power Dissipation
e
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
T
J
,T
STG
I
D
@ T
C
= 100°C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
I
DM
c
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θcs
R
θJA
R
θJA
Junction-to-Case
i
Typ.
Max.
1.7
–––
62
40
Units
°C/W
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
fi
f
–––
0.50
–––
–––
Junction-to-Ambient( PCB mount)
gi
Notes

through
‡
are on page 11
www.irf.com
1
12/9/04

IRF3706LPBF相似产品对比

IRF3706LPBF IRF3706STRRPBF
描述 MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
RoHS Details Details
技术
Technology
Si Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-262-3 TO-263-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V 20 V
Id - Continuous Drain Current 77 A 77 A
Rds On - Drain-Source Resistance 10.5 mOhms 10.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V 12 V
Qg - Gate Charge 23 nC 23 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C + 175 C
Configuration Single Single
Channel Mode Enhancement Enhancement
Fall Time 4.8 ns 4.8 ns
高度
Height
9.45 mm 4.4 mm
长度
Length
10.2 mm 10 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
88 W 88 W
Rise Time 87 ns 87 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3200 3200
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel
类型
Type
Smps MOSFET Smps MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 17 ns 17 ns
Typical Turn-On Delay Time 6.8 ns 6.8 ns
宽度
Width
4.5 mm 9.25 mm
单位重量
Unit Weight
0.084199 oz 0.139332 oz
系列
Packaging
Tube Reel

 
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