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SI5473DC-T1-GE3

产品描述MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI5473DC-T1-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SI5473DC-T1-GE3概述

MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V

SI5473DC-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (ID)5.9 A
最大漏源导通电阻0.027 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Si5473DC
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 12
R
DS(on)
(Ω)
0.027 at V
GS
= - 4.5 V
0.0335 at V
GS
= - 2.5 V
0.045 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 8.1
- 7.3
- 6.3
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• Low R
DS(on)
and Excellent Power Handling
in Compact Footprint
1206-8 ChipFET
®
1
APPLICATIONS
• Battery and Load Switch for Portable Devices
S
D
D
D
D
S
D
D
G
Marking Code
BI
XXX
Lot Traceability
and Date Code
Part #
Code
G
Bottom View
Ordering Information:
Si5473DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si5473DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 2.1
2.5
1.3
- 55 to 150
260
- 8.1
- 5.9
± 20
- 1.1
1.3
0.7
W
°C
5s
- 12
±8
- 5.9
- 4.3
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
40
80
15
Maximum
50
95
20
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Reliability Manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result
of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure
adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 72261
S09-0129-Rev. B, 02-Feb-09
www.vishay.com
1
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