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HB52E649E12

产品描述512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
文件大小118KB,共16页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HB52E649E12概述

512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM

HB52E649E12相似产品对比

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描述 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
厂商名称 - ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 - DIMM DIMM
包装说明 - DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 - 168 168
Reach Compliance Code - unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99
访问模式 - SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 - 6.9 ns 6.9 ns
其他特性 - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) - 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON
JESD-30 代码 - R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 - 4831838208 bi 4831838208 bi
内存集成电路类型 - SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 - 72 72
湿度敏感等级 - 1 1
功能数量 - 1 1
端口数量 - 1 1
端子数量 - 168 168
字数 - 67108864 words 67108864 words
字数代码 - 64000000 64000000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 55 °C 55 °C
组织 - 64MX72 64MX72
输出特性 - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 - DIMM DIMM
封装等效代码 - DIMM168 DIMM168
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) - 225 225
电源 - 3.3 V 3.3 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
刷新周期 - 8192 8192
自我刷新 - YES YES
最大待机电流 - 0.546 A 0.546 A
最大压摆率 - 4.47 mA 4.47 mA
最大供电电压 (Vsup) - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) - 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) - 3.3 V 3.3 V
表面贴装 - NO NO
技术 - CMOS CMOS
温度等级 - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 - NO LEAD NO LEAD
端子节距 - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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