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SI5904DC-T1-GE3

产品描述MOSFET DUAL N-CH 2.5V (G-S)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI5904DC-T1-GE3在线购买

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SI5904DC-T1-GE3概述

MOSFET DUAL N-CH 2.5V (G-S)

SI5904DC-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.1 A
最大漏极电流 (ID)3.1 A
最大漏源导通电阻0.075 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-C8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Si5904DC
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
20
R
DS(on)
(Ω)
0.075 at V
GS
= 4.5 V
0.134 at V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
± 4.2
± 3.1
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFET: 2.5 V Rated
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
1206-8 ChipFE
T
®
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
D
1
D
2
Marking Code
CB XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
S
1
S
2
N-Channel MOSFET
G
1
G
2
Bottom View
Ordering Information:
Si5904DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si5904DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
1.8
2.1
1.1
- 55 to 150
260
± 4.2
± 3.0
± 10
0.9
1.1
0.6
W
°C
5s
20
± 12
± 3.1
± 2.2
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
50
90
30
Maximum
60
110
40
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See reliability manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result
of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure
adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 71065
S10-0548-Rev. D, 08-Mar-10
www.vishay.com
1

SI5904DC-T1-GE3相似产品对比

SI5904DC-T1-GE3 SI5904DC-T1
描述 MOSFET DUAL N-CH 2.5V (G-S) MOSFET 20V 4.2A 2.1W
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.1 A 3.1 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.1 W 2.1 W
Base Number Matches 1 1
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