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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANS2N2369AUB
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JANS2N2369AUB

产品描述Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANS2N2369AUB在线购买

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JANS2N2369AUB概述

Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

JANS2N2369AUB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-CDSO-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.4 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/317
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）18 ns
最大开启时间（吨）12 ns
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
NPN SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/317
DEVICES
LEVELS
2N2369A
2N2369AU
2N2369AUA
2N2369AUB
2N2369AUBC *
2N4449
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
*
Available to JANS quality level only.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Total Power Dissipation @
T
A
= +25°C
2N2369A; 2N4449
UA, UB, UBC
U
2N2369A / U / UA
2N4449 / UB / UBC
2N2369A / U / UA
2N4449 / UB / UBC
Symbol
V
CEO
V
EBO
V
CBO
I
CES
P
T
T
op
, T
stg
Value
15
20
4.5
6.0
40
40
0.36
(1)
0.36
(1, 5)
0.50
(4)
-65 to +200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
W
TO-18 (TO-206AA)
2N2369A
TO-46 (TO-206AB)
Operating & Storage Junction Temperature Range
°C
2N4449
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameters / Test Conditions
Thermal Resistance, Ambient-to-Case
2N2369A; 2N4449
UA, UB, UBC
U
Note:
1.
2.
3.
4.
5.
Symbol
R
θJA
Value
400
400
(5)
350
Unit
°C/W
SURFACE MOUNT
UA
Derate linearly 2.06 mW°/C above T
A
= +25°C.
Derate linearly 4.76 mW°/C above T
C
= +95°C.
Derate linearly 3.08 mW°/C above T
C
= +70°C.
Derate linearly 3.44 mW°/C above T
A
= +54.5°C.
Mounted on FR-4 PCB (1Oz. Cu) with contacts 20 mils larger than package pads.
SURFACE MOUNT
UB & UBC
(UBC = Ceramic Lid Version)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10mAdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CE
= 20Vdc
T4-LDS-0057 Rev. 2 (081394)
Symbol
Min.
Max.
Unit
V
(BR)CEO
I
CES
15
0.4
Vdc
μAdc
SURFACE MOUNT
U (Dual Transistor)
Page 1 of 2

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描述 Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AB, TO-46, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-4 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SURFACE MOUNT PACKAGE-3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 TO-46, 3 PIN SURFACE MOUNT PACKAGE-4 TO-46, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数 3 3 3 3 3 4 3 4 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant compliant unknown unknown unknown compliant compliant
集电极-发射极最大电压 15 V 20 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20 20 20 20 20 40 20
JESD-30 代码 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 O-MBCY-W3 R-CDSO-N3 O-MBCY-W3 R-XDSO-N4 O-MBCY-W3 R-CDSO-N4 R-CDSO-N3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 4 3 4 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 175 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED METAL CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED METAL UNSPECIFIED METAL CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND RECTANGULAR ROUND RECTANGULAR ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE CYLINDRICAL SMALL OUTLINE CYLINDRICAL SMALL OUTLINE CYLINDRICAL SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Qualified Not Qualified Qualified Qualified Qualified Not Qualified Qualified Not Qualified Qualified
表面贴装 YES YES NO YES NO YES NO YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD WIRE NO LEAD WIRE NO LEAD WIRE NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL BOTTOM DUAL BOTTOM DUAL BOTTOM DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 18 ns 18 ns 18 ns 18 ns 18 ns 18 ns 18 ns 18 ns 18 ns
最大开启时间（吨） 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns
最大功率耗散 (Abs) 1.4 W 1.4 W 0.36 W 0.36 W - 1.2 W 0.3 W 1.2 W 1.4 W
参考标准 MIL-19500/317 MIL-19500/317 MIL-19500/317 MIL-19500 MIL-19500 MIL-19500 MIL-19500/317K - MIL-19500/317
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
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