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SI4804DY-T1-E3

产品描述MOSFET 30V 7.5A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4804DY-T1-E3在线购买

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SI4804DY-T1-E3概述

MOSFET 30V 7.5A 2W

SI4804DY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.7 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
Base Number Matches1

SI4804DY-T1-E3相似产品对比

SI4804DY-T1-E3 SI4804DY-T1
描述 MOSFET 30V 7.5A 2W MOSFET 30V 7.5A 2W
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
Is Samacsys N N
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.7 A 5.7 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1

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