MOSFET 30V 7.5A 2W
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
Reach Compliance Code | compliant |
Is Samacsys | N |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.7 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
SI4804DY-T1 | SI4804DY-T1-E3 | |
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描述 | MOSFET 30V 7.5A 2W | MOSFET 30V 7.5A 2W |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
Is Samacsys | N | N |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.7 A | 5.7 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 | e3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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