电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SI4804DY-T1

产品描述MOSFET 30V 7.5A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SI4804DY-T1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SI4804DY-T1 - - 点击查看 点击购买

SI4804DY-T1概述

MOSFET 30V 7.5A 2W

SI4804DY-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.7 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SI4804DY-T1相似产品对比

SI4804DY-T1 SI4804DY-T1-E3
描述 MOSFET 30V 7.5A 2W MOSFET 30V 7.5A 2W
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
Is Samacsys N N
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.7 A 5.7 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e3
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
Base Number Matches 1 1

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 63  1125  1331  1348  1604 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved