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SI4982DY

产品描述MOSFET 100V 2.6A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小105KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4982DY概述

MOSFET 100V 2.6A 2W

SI4982DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.6 A
最大漏极电流 (ID)2.6 A
最大漏源导通电阻0.15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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Si4982DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
100
R
DS(on)
(Ω)
0.150 at V
GS
= 10 V
0.180 at V
GS
= 6 V
I
D
(A)
2.6
2.4
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
Top View
S
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
Ordering Information:
Si4982DY-T1-E3
(Lead (Pb)-free)
Si4982DY-T1-GE3
(Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
100
± 20
2.6
2.1
20
1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Symbol
R
thJA
Limit
62.5
Unit
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t
10 s.
Document Number: 70748
S09-0870-Rev. C, 18-May-09
www.vishay.com
1

SI4982DY相似产品对比

SI4982DY SI4982DY-E3
描述 MOSFET 100V 2.6A 2W MOSFET 100V 2.6A 2W
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.6 A 2.6 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)

 
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