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LV51133T-TLM-E

产品描述Battery Management BATTERY PROTECTION IC
产品类别电源/电源管理    电源电路   
文件大小131KB,共9页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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LV51133T-TLM-E在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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LV51133T-TLM-E概述

Battery Management BATTERY PROTECTION IC

LV51133T-TLM-E规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明TSSOP, TSSOP8,.19
针数8
制造商包装代码846AF
Reach Compliance Codecompliant
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e6
湿度敏感等级3
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.19
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源6/8 V
认证状态Not Qualified
最大供电电流 (Isup)0.013 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL

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Ordering number : ENA1985
LV51133T
CMOS IC
2-Cell Lithium-Ion Secondary
Battery Protection IC
Overview
The LV51133T is a protection IC for 2-cell lithium-ion secondary batteries.
http://onsemi.com
Features
Monitoring function for each cell:
High detection voltage accuracy:
Hysteresis cancel function:
Discharge current monitoring function:
Low current consumption:
0V cell charging function:
Detects overcharge and over-discharge conditions and controls the
charging and discharging operation of each cell.
Over-charge detection accuracy
±25mV
Over-discharge detection accuracy ±100mV
The hysteresis of over-discharge detection voltage is cancelled by
connection of a load after overcharging has been detected.
Detects over-currents, load shorting, and excessively high voltage of a
charger.
Normal operation mode typ. 6.0μA
Stand by mode
max. 0.2μA
Charging is enabled even when the cell voltage is 0V by giving a
voltage between the VDD pin and V- pin.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
August, 2013
O1911HKPC 20110930-S00004 No.A1985-1/9

LV51133T-TLM-E相似产品对比

LV51133T-TLM-E LV51133T
描述 Battery Management BATTERY PROTECTION IC IC POWER SUPPLY SUPPORT CKT, Power Management Circuit
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 TSSOP, TSSOP8,.19 TSSOP,
Reach Compliance Code compliant compliant
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8
端子数量 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -30 °C -30 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP TSSOP
封装形状 RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.635 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL
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