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NJVMJD45H11D3T4G

产品描述Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小90KB,共9页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NJVMJD45H11D3T4G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NJVMJD45H11D3T4G概述

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V

NJVMJD45H11D3T4G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明DPAK-3
制造商包装代码369G
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time8 weeks
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PSSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)90 MHz
Base Number Matches1

NJVMJD45H11D3T4G相似产品对比

NJVMJD45H11D3T4G NJVMJD44H11D3T4G
描述 Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V Bipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSI
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
包装说明 DPAK-3 DPAK-3
制造商包装代码 369G 369G
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JESD-30 代码 R-PSSO-G3 R-PSSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP NPN
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 90 MHz 85 MHz
Base Number Matches 1 1
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