IPP120N04S3-02,IPP120N04S3-02 pdf中文资料,IPP120N04S3-02引脚图,IPP120N04S3-02电路-Datasheet-电子工程世界

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IPP120N04S3-02: 产品描述MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小189KB，共9页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IPP120N04S3-02概述

MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T

IPP120N04S3-02规格参数

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	MOSFET
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-220-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	120 A
Rds On - Drain-Source Resistance	2.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Configuration	Single
资格 Qualification	AEC-Q100
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	Tube
Fall Time	18 ns
高度 Height	15.65 mm
长度 Length	10 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	300 W
Rise Time	19 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	500
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	57 ns
Typical Turn-On Delay Time	35 ns
宽度 Width	4.4 mm
单位重量 Unit Weight	0.211644 oz

IPP120N04S3-02相似产品对比

	IPP120N04S3-02	IPI120N04S302AKSA1	IPB120N04S302ATMA1	IPP120N04S302AKSA1
描述	MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T	MOSFET N-CHANNEL_30/40V	MOSFET N-CHANNEL_30/40V	MOSFET N-CHANNEL_30/40V
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合
包装说明	-	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code	-	compliant	compliant	not_compliant
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	-	ULTRA LOW RESISTANCE	ULTRA LOW RESISTANCE	ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	-	1880 mJ	1880 mJ	1880 mJ
配置	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	-	40 V	40 V	40 V
最大漏极电流 (ID)	-	120 A	120 A	120 A
最大漏源导通电阻	-	0.0023 Ω	0.0023 Ω	0.0023 Ω
FET 技术	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	-	TO-262AA	TO-263AB	TO-220AB
JESD-30 代码	-	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
湿度敏感等级	-	1	1	1
元件数量	-	1	1	1
端子数量	-	3	2	3
工作模式	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	IN-LINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	480 A	480 A	480 A
表面贴装	-	NO	YES	NO
端子形式	-	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON

推荐资源

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY