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GS1K-T1

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共3页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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GS1K-T1概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC

GS1K-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间2.5 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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W TE
PO WE R SEM IC O ND UC TO R S
GS1A – GS1M
1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
Features
!
!
!
!
!
!
!
Glass Passivated Die Construction
Ideally Suited for Automatic Assembly
Low Forward Voltage Drop
Surge Overload Rating to 30A Peak
Low Power Loss
Built-in Strain Relief
Plastic Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-O
B
D
A
F
C
H
G
E
Mechanical Data
!
!
!
!
!
Case: Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable
per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
Marking: Type Number
Weight: 0.064 grams (approx.)
SMA/DO-214AC
Dim
Min
Max
A
2.50
2.90
B
4.00
4.60
C
1.40
1.60
D
0.152
0.305
E
4.80
5.28
F
2.00
2.44
G
0.051
0.203
H
0.76
1.52
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current @T
L
= 100°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 125°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
GS1A
@T
A
=25°C unless otherwise specified
GS1B
GS1D
GS1G
GS1J
GS1K
GS1M
Unit
50
35
100
70
200
140
400
280
1.0
600
420
800
560
1000
700
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
R
JL
T
j,
T
STG
30
1.10
5.0
200
2.5
15
30
-65 to +175
A
V
µA
µS
pF
K/W
°C
Note: 1. Measured with I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A,
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.
3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm
2
land area.
GS1A – GS1M
1 of 3
© 2002 Won-Top Electronics

GS1K-T1相似产品对比

GS1K-T1 GS1B-T1 GS1D-T1 GS1A-T1 GS1J-T1 GS1G-T1 GS1M-T1
描述 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 - -
Reach Compliance Code unknown unknow - unknow unknow - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 - -
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE - -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - -
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V - 1.1 V 1.1 V - -
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 - -
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A - 30 A 30 A - -
元件数量 1 1 - 1 1 - -
最高工作温度 175 °C 175 °C - 175 °C 175 °C - -
最大输出电流 1 A 1 A - 1 A 1 A - -
最大重复峰值反向电压 800 V 100 V - 50 V 600 V - -
最大反向恢复时间 2.5 µs 2.5 µs - 2.5 µs 2.5 µs - -
表面贴装 YES YES - YES YES - -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - -
Base Number Matches 1 1 - 1 1 - -
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