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M24C08-RDS6G

产品描述EEPROM 1.8-5.5V 8K (1Kx8)
产品类别存储    存储   
文件大小566KB,共38页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M24C08-RDS6G概述

EEPROM 1.8-5.5V 8K (1Kx8)

M24C08-RDS6G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DMMR
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度3 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数1024 words
字数代码1000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.19
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.0008 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE

M24C08-RDS6G相似产品对比

M24C08-RDS6G M24C08-WBN6 M24C08-RMB6TG
描述 EEPROM 1.8-5.5V 8K (1Kx8) EEPROM 5.5V 8K (1Kx8) EEPROM 16Kbit 8Kbit 4Kbit 2Kb and 1Kb Serial
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
零件包装代码 SOIC DIP SOIC
包装说明 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8 PLASTIC, DIP-8 2 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MLP-8
针数 8 8 8
Reach Compliance Code compliant not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DMMR 1010DMMR 1010DMMR
JESD-30 代码 S-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 e0 e4
长度 3 mm 9.27 mm 3 mm
内存密度 8192 bit 8192 bit 8192 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 8 8 8
字数 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 1KX8 1KX8 1KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP DIP HVSON
封装等效代码 TSSOP8,.19 DIP8,.3 SOLCC8,.11,20
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH IN-LINE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED 260
电源 2/5 V 3/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.1 mm 5.33 mm 0.6 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A
最大压摆率 0.0008 mA 0.002 mA 0.0008 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 2.5 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 2.5 V
表面贴装 YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD Tin/Lead (Sn60Pb40) NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 0.65 mm 2.54 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 NOT SPECIFIED 30
宽度 3 mm 7.62 mm 2 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) -
湿度敏感等级 1 - 1
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