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M24C08-RMB6TG: 产品描述EEPROM 16Kbit 8Kbit 4Kbit 2Kb and 1Kb Serial; 产品类别存储存储; 文件大小566KB，共38页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M24C08-RMB6TG概述

EEPROM 16Kbit 8Kbit 4Kbit 2Kb and 1Kb Serial

M24C08-RMB6TG规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	2 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MLP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DMMR
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e4
长度	3 mm
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON
封装等效代码	SOLCC8,.11,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.6 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.0008 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	HARDWARE
Base Number Matches	1

M24C08-RMB6TG相似产品对比

	M24C08-RMB6TG	M24C08-WBN6	M24C08-RDS6G
描述	EEPROM 16Kbit 8Kbit 4Kbit 2Kb and 1Kb Serial	EEPROM 5.5V 8K (1Kx8)	EEPROM 1.8-5.5V 8K (1Kx8)
是否Rohs认证	符合	不符合	符合
零件包装代码	SOIC	DIP	SOIC
包装说明	2 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MLP-8	PLASTIC, DIP-8	3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
针数	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz	0.4 MHz	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DMMR	1010DMMR	1010DMMR
JESD-30 代码	R-PDSO-N8	R-PDIP-T8	S-PDSO-G8
JESD-609代码	e4	e0	e4
长度	3 mm	9.27 mm	3 mm
内存密度	8192 bit	8192 bit	8192 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	8	8	8
字数	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1KX8	1KX8	1KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON	DIP	TSSOP
封装等效代码	SOLCC8,.11,20	DIP8,.3	TSSOP8,.19
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260
电源	2/5 V	3/5 V	2/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	0.6 mm	5.33 mm	1.1 mm
串行总线类型	I2C	I2C	I2C
最大待机电流	0.000001 A	0.000001 A	0.000001 A
最大压摆率	0.0008 mA	0.002 mA	0.0008 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	2.5 V	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	NICKEL PALLADIUM GOLD	Tin/Lead (Sn60Pb40)	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式	NO LEAD	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子节距	0.5 mm	2.54 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED	10
宽度	2 mm	7.62 mm	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms
写保护	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE
湿度敏感等级	1	-	1
厂商名称	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)

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