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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MUR10060CT
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MUR10060CT

产品描述Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小384KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MUR10060CT概述

Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R

MUR10060CT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PUFM-X2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JESD-30 代码R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流1500 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.11 µs
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MUR10005CT thru MUR10020CTR
Silicon Super Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 50 V to 200 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Twin Tower Package
V
RRM
= 50 V - 200 V
I
F(AV)
= 100 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MUR10005CT(R)
50
35
50
-55 to 150
-55 to 150
MUR10010CT(R)
100
70
100
-55 to 150
-55 to 150
MUR10020CT(R)
200
140
200
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per
pkg)
Peak forward surge current (per
leg)
Maximum instantaneous forward
voltage (per leg)
Maximum reverse current at
rated DC blocking voltage (per
leg)
Maximum reverse recovery time
(per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
Conditions
T
C
= 140 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 50 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
MUR10005CT(R)
100
1500
1.0
25
3
75
MUR10010CT(R)
100
1500
1.0
25
3
75
MUR10020CT(R)
100
1500
1.0
25
3
75
Unit
A
A
V
μA
mA
nS
Thermal characteristics
Maximum thermal resistance,
junction - case (per leg)
R
ΘJC
1.0
1.0
1.0
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/super-fast-recovery-rectifiers/
1

MUR10060CT相似产品对比

MUR10060CT MUR10020CTR MUR10060CTR
描述 Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 CATHODE ANODE ANODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1 V 1.7 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流 1500 A 1500 A 1500 A
元件数量 2 2 2
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 50 A 50 A 50 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 600 V 200 V 600 V
最大反向电流 25 µA 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 0.11 µs 0.075 µs 0.11 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER
ECCN代码 EAR99 - EAR99
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 - 1

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