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AT49BV040B-TU

产品描述Flash Memory 4M 2.7V BOTTOM BOOT - 3V/5V 4M PKG
产品类别存储    存储   
文件大小237KB,共22页
制造商Atmel (Microchip)
标准
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AT49BV040B-TU概述

Flash Memory 4M 2.7V BOTTOM BOOT - 3V/5V 4M PKG

AT49BV040B-TU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码TSOP1
包装说明8 X 20 MM, GREEN, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
其他特性ALSO CAN BE OPERATED IN 4.5V TO 5.5V
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模1,2,1,7
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3/5 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1
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