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CAT24C32VP2I-GT3

产品描述EEPROM 32K-Bit I2C Serial
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文件大小142KB,共16页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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CAT24C32VP2I-GT3在线购买

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CAT24C32VP2I-GT3概述

EEPROM 32K-Bit I2C Serial

CAT24C32VP2I-GT3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SON
包装说明2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-229, TDFN-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e4
长度3 mm
内存密度32768 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数4096 words
字数代码4000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.11,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.8 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

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CAT24C32
32-Kb I
2
C CMOS Serial
EEPROM
Description
The CAT24C32 is a 32−Kb CMOS Serial EEPROM devices,
internally organized as 4096 words of 8 bits each.
It features a 32−byte page write buffer and supports the Standard
(100 kHz), Fast (400 kHz) and Fast−Plus (1 MHz) I
2
C protocol.
External address pins make it possible to address up to eight
CAT24C32 devices on the same bus.
Features
www.onsemi.com
SOIC−8
W SUFFIX
CASE 751BD
UDFN8
HU4 SUFFIX
CASE 517AZ
US8 *
US SUFFIX
CASE 493
Supports Standard, Fast and Fast−Plus I
2
C Protocol
1.7 V to 5.5 V Supply Voltage Range
32−Byte Page Write Buffer
Hardware Write Protection for Entire Memory
Schmitt Triggers and Noise Suppression Filters on I
2
C Bus Inputs
(SCL and SDA)
Low Power CMOS Technology
1,000,000 Program/Erase Cycles
100 Year Data Retention
Industrial and Extended Temperature Range
PDIP, SOIC, TSSOP, UDFN, US 8−lead, WLCSP 4−ball and 5−ball
Packages
This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS
Compliant
PDIP−8
L SUFFIX
CASE 646AA
TSSOP−8
Y SUFFIX
CASE 948AL
WLCSP5
C5A SUFFIX
CASE 567JQ
WLCSP4 *
C4C SUFFIX
CASE 567JY
PIN CONFIGURATIONS
(Top Views)
1
1
V
CC
2
A
V
SS
A
V
CC
V
SS
B
SCL
SDA
B
SDA
C
WP
SCL
2
3
WLCSP4 (C4C)
WLCSP5 (C5A)
1
A
0
A
1
A
2
V
SS
V
CC
WP
SCL
SDA
PDIP (L), SOIC (W), TSSOP (Y),
US (US), UDFN (HU4)
For the location of Pin 1, please consult the
corresponding package drawing.
* In Development; please contact factory for availability
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 9 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2014
1
November, 2014 − Rev. 23
Publication Order Number:
CAT24C32/D

CAT24C32VP2I-GT3相似产品对比

CAT24C32VP2I-GT3 CAT24C32HU3I-GT3
描述 EEPROM 32K-Bit I2C Serial EEPROM 32KB I2C SER EEPROM
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 SON SON
包装说明 2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-229, TDFN-8 2 X 3 MM, 0.50 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-229, UDFN-8
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 100 YEAR DATA RETENTION 100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz 1 MHz
数据保留时间-最小值 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 e4
长度 3 mm 3 mm
内存密度 32768 bit 32768 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 4KX8 4KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON HVSON
封装等效代码 SOLCC8,.11,20 SOLCC8,.11,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.8 mm 0.55 mm
串行总线类型 I2C I2C
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
宽度 2 mm 2 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE
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