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IS61C256AL-12JLI-TR: 产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose; 产品类别存储存储; 文件大小515KB，共11页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/; 标准

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Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose

	IS61C256AL-12JLI-TR	IS61C256AL-12TLI
描述	Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose	Digital Isolators Iso 5V CAN Xcvr
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
零件包装代码	SOJ	TSOP
包装说明	SOJ,	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数	28	28
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks	6 weeks
最长访问时间	12 ns	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J28	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e3	e3
长度	18.415 mm	11.8 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8
湿度敏感等级	3	3
功能数量	1	1
端子数量	28	28
字数	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.56 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND	GULL WING
端子节距	1.27 mm	0.55 mm
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
宽度	7.62 mm	8 mm
Base Number Matches	1	1

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