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SI4886DY

产品描述MOSFET 30V 13A 2.95W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小452KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4886DY概述

MOSFET 30V 13A 2.95W

SI4886DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)9.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.56 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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Si4886DY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Q
g
, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.010 at V
GS
= 10 V
0.0135 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
13
11
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• High-Efficiency PWM Optimized
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
D
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
S
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Ordering Information:
Si4886DY-T1-E3
(Lead (Pb)-free)
Si4886DY-T1-GE3
(Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
2.60
2.95
1.90
- 55 to 150
13
10.5
± 50
1.40
1.56
1.0
W
°C
10 s
30
± 20
9.5
7.6
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
35
68
18
Maximum
42
80
23
°C/W
Unit
Document Number: 71142
S09-0869-Rev. B, 18-May-09
www.vishay.com
1

SI4886DY相似产品对比

SI4886DY SI4886DY-T1-E3
描述 MOSFET 30V 13A 2.95W MOSFET 30V 13A 2.95W
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant unknown
配置 Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9.5 A 9.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.56 W 2.95 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
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