EEPROM 16 Kbit 2 K x 8 Parallel 5V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOIC-24 |
| 针数 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 100 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G24 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 15.4 mm |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP24,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.65 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.5 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| CAT28C16AXI20 | CAT28C16ALI12 | CAT28C16AGI20 | CAT28C16AGI12 | CAT28C16AXI90 | CAT28C16AG20 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM 16 Kbit 2 K x 8 Parallel 5V | EEPROM 16K-Bit CMOS PARA EEPROM | EEPROM (2Kx8) 16K 5V 200ns | EEPROM 16K-Bit CMOS PARA EEPROM | EEPROM (2Kx8) 16K 5V 90ns | EEPROM (2Kx8) 16K 5V 200ns |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC | DIP | QFJ | QFJ | SOIC | QFJ |
| 包装说明 | SOIC-24 | PDIP-24 | PLCC-32 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | SOIC-24 | PLCC-32 |
| 针数 | 24 | 24 | 32 | 32 | 24 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns | 120 ns | 200 ns | 120 ns | 90 ns | 200 ns |
| 命令用户界面 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G24 | R-PDIP-T24 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | R-PDSO-G24 | R-PQCC-J32 |
| 长度 | 15.4 mm | 31.875 mm | 13.97 mm | 13.97 mm | 15.4 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 32 | 32 | 24 | 32 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 70 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | - |
| 组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | DIP | QCCJ | QCCJ | SOP | QCCJ |
| 封装等效代码 | SOP24,.4 | DIP24,.6 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | SOP24,.4 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED | 260 | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.65 mm | 6.35 mm | 3.18 mm | 3.18 mm | 2.65 mm | 3.18 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.035 mA | 0.035 mA | 0.035 mA | 0.035 mA | 0.035 mA | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | GULL WING | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | QUAD | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 40 |
| 宽度 | 7.5 mm | 15.24 mm | 11.43 mm | 11.43 mm | 7.5 mm | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 5 ms | 10 ms | 5 ms | 5 ms | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | - | e3 | e3 | e3 |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - annealed | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
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