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IS42S32160B-75BLI

产品描述DRAM 512M (16Mx32) 133MHz SDRAM, 3.3v
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文件大小768KB,共60页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS42S32160B-75BLI概述

DRAM 512M (16Mx32) 133MHz SDRAM, 3.3v

IS42S32160B-75BLI规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
DRAM
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
RoHSDetails
类型
Type
SDRAM
Data Bus Width32 bit
Organization16 M x 32
封装 / 箱体
Package / Case
BGA-90
Memory Size512 Mbit
Maximum Clock Frequency133 MHz
Access Time5.5 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
3 V
Supply Current - Max180 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
系列
Packaging
Tray
高度
Height
0.89 mm
长度
Length
13 mm
Moisture SensitiveYes
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
工作电源电压
Operating Supply Voltage
3.3 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
144
宽度
Width
11 mm

IS42S32160B-75BLI相似产品对比

IS42S32160B-75BLI IS42S32160B-75TL
描述 DRAM 512M (16Mx32) 133MHz SDRAM, 3.3v DRAM 512M (16Mx32) 133MHz SDRAM, 3.3v
产品种类
Product Category
DRAM DRAM
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
RoHS Details Details
类型
Type
SDRAM SDRAM
Data Bus Width 32 bit 32 bit
Organization 16 M x 32 16 M x 32
封装 / 箱体
Package / Case
BGA-90 TSOP-86
Memory Size 512 Mbit 512 Mbit
Maximum Clock Frequency 133 MHz 133 MHz
Access Time 5.5 ns 5.5 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V 3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
3 V 3 V
Supply Current - Max 180 mA 180 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C 0 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C + 70 C
系列
Packaging
Tray Tray
高度
Height
0.89 mm 1.05 mm
长度
Length
13 mm 22.42 mm
Moisture Sensitive Yes Yes
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT
工作电源电压
Operating Supply Voltage
3.3 V 3.3 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
144 144
宽度
Width
11 mm 10.29 mm

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