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HY51V18160BLTC-70

产品描述EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, 0.400 INCH, TSOP2
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文件大小62KB,共1页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51V18160BLTC-70概述

EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, 0.400 INCH, TSOP2

HY51V18160BLTC-70规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSOP2
包装说明SOP,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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