GaAs PIN photodiode
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Hamamatsu |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | LOW NOISE |
配置 | SINGLE |
最大暗电源 | 0.5 nA |
红外线范围 | YES |
功能数量 | 1 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
光电设备类型 | PIN PHOTODIODE |
峰值波长 | 850 nm |
最小反向击穿电压 | 30 V |
形状 | ROUND |
尺寸 | 0.12 mm |
Base Number Matches | 1 |
G8522-03 | G8522 | G8522-01 | G8522-02 | |
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描述 | GaAs PIN photodiode | GaAs PIN photodiode | GaAs PIN photodiode | GaAs PIN photodiode |
Reach Compliance Code | unknown | - | unknow | unknow |
其他特性 | LOW NOISE | - | LOW NOISE | LOW NOISE |
配置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE |
最大暗电源 | 0.5 nA | - | 0.05 nA | 0.2 nA |
红外线范围 | YES | - | YES | YES |
功能数量 | 1 | - | 1 | 1 |
最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
光电设备类型 | PIN PHOTODIODE | - | PIN PHOTODIODE | PIN PHOTODIODE |
峰值波长 | 850 nm | - | 850 nm | 850 nm |
最小反向击穿电压 | 30 V | - | 30 V | 30 V |
形状 | ROUND | - | ROUND | ROUND |
尺寸 | 0.12 mm | - | 0.04 mm | 0.08 mm |
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