GaAs PIN photodiode
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Hamamatsu |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大暗电源 | 0.2 nA |
| 红外线范围 | YES |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 光电设备类型 | PIN PHOTODIODE |
| 峰值波长 | 850 nm |
| 最小反向击穿电压 | 30 V |
| 形状 | ROUND |
| 尺寸 | 0.08 mm |
| G8522-02 | G8522 | G8522-01 | G8522-03 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | GaAs PIN photodiode | GaAs PIN photodiode | GaAs PIN photodiode | GaAs PIN photodiode |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | unknown |
| 其他特性 | LOW NOISE | - | LOW NOISE | LOW NOISE |
| 配置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE |
| 最大暗电源 | 0.2 nA | - | 0.05 nA | 0.5 nA |
| 红外线范围 | YES | - | YES | YES |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
| 光电设备类型 | PIN PHOTODIODE | - | PIN PHOTODIODE | PIN PHOTODIODE |
| 峰值波长 | 850 nm | - | 850 nm | 850 nm |
| 最小反向击穿电压 | 30 V | - | 30 V | 30 V |
| 形状 | ROUND | - | ROUND | ROUND |
| 尺寸 | 0.08 mm | - | 0.04 mm | 0.12 mm |
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