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AT52BR1664AT-70CI

产品描述16-megabit Flash + 4-megabit SRAM Stack Memory
产品类别存储    存储   
文件大小268KB,共35页
制造商Atmel (Microchip)
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AT52BR1664AT-70CI概述

16-megabit Flash + 4-megabit SRAM Stack Memory

AT52BR1664AT-70CI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA66,8X12,32
针数66
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间70 ns
其他特性SRAM IS ORGANISED AS 256K X 16
JESD-30 代码R-PBGA-B66
JESD-609代码e0
长度10 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量66
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA66,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm

AT52BR1664AT-70CI相似产品对比

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描述 16-megabit Flash + 4-megabit SRAM Stack Memory 16-megabit Flash + 4-megabit SRAM Stack Memory 16-megabit Flash + 4-megabit SRAM Stack Memory 16-megabit Flash + 4-megabit SRAM Stack Memory 16-megabit Flash + 4-megabit SRAM Stack Memory 16-megabit Flash + 4-megabit SRAM Stack Memory
是否无铅 含铅 含铅 - - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 - - 不符合 不符合
厂商名称 Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) - - Atmel (Microchip) Atmel (Microchip)
零件包装代码 BGA BGA - - BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA66,8X12,32 TFBGA, BGA66,8X12,32 - - TFBGA, BGA66,8X12,32 TFBGA, BGA66,8X12,32
针数 66 66 - - 66 66
Reach Compliance Code compli compli - - compli compli
最长访问时间 70 ns 70 ns - - 90 ns 90 ns
其他特性 SRAM IS ORGANISED AS 256K X 16 SRAM IS ORGANISED AS 256K X 16 - - SRAM IS ORGANISED AS 256K X 16 SRAM IS ORGANISED AS 256K X 16
JESD-30 代码 R-PBGA-B66 R-PBGA-B66 - - R-PBGA-B66 R-PBGA-B66
JESD-609代码 e0 e0 - - e0 e0
长度 10 mm 10 mm - - 10 mm 10 mm
内存密度 16777216 bi 16777216 bi - - 16777216 bi 16777216 bi
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT - - MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16 16 - - 16 16
混合内存类型 FLASH+SRAM FLASH+SRAM - - FLASH+SRAM FLASH+SRAM
功能数量 1 1 - - 1 1
端子数量 66 66 - - 66 66
字数 1048576 words 1048576 words - - 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 - - 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C - - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - - -40 °C -40 °C
组织 1MX16 1MX16 - - 1MX16 1MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA - - TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA66,8X12,32 BGA66,8X12,32 - - BGA66,8X12,32 BGA66,8X12,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH - - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 - - 240 240
电源 3 V 3 V - - 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm - - 1.2 mm 1.2 mm
最大压摆率 0.04 mA 0.04 mA - - 0.04 mA 0.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V - - 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V - - 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V - - 3 V 3 V
表面贴装 YES YES - - YES YES
技术 CMOS CMOS - - CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL - - INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL - - BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm - - 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM - - BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 - - 30 30
宽度 8 mm 8 mm - - 8 mm 8 mm

 
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