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20KPA160C

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小407KB,共5页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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20KPA160C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

20KPA160C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压205.7 V
最小击穿电压168.3 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散20000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散8 W
最大重复峰值反向电压160 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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20KPA SERIES
Technical Data
Data Sheet N0216, Rev. C
20KPA SERIES GLASS PASSIVATED
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
Glass Passivated Junction
20000W Peak Pulse Power Capability on 10/1000 μs
waveform
Voltage-20.0 to 300 Volts
Excellent Clamping Capability
Repetition rate (duty cycle): 0.05%
Low incremental surge resistance
Fast Response Time: typically less than 1.0 ps from
volts to BV
High temperature soldering guaranteed: 265℃/10
seconds/.375”, (9.5mm) lead length, 5lbs., (2.3kg) tension
This is a Pb − Free Device
All SMC Parts are Traceable to the Wafer Lot
Additional testing can be offered upon request
P-600
Mechanical Data
Case: Molded Plastic over glass passivated junction
Terminals: Plated Axial leads , Solderable per
MIL-STD 750, Method 2026
Polarity: Color Band denoted positive end (cathode)
except Bipolar
Mounting Position: Any
Weight:2.1 grams(approx.)
Circuit Diagram
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Parameter
Peak Pulse Power Dissipation on 10x1000μs
Waveform(Note 1)
Peak Pulse Current on 10x1000μs
Waveform(Note 1)
Steady State Power Dissipation at T
L
=75°C Lead
Lengths .375”, (9.5mm)(Note 2)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Sine-Wave
Superimposed on Rated Load, (JEDEC
Method)(Note 3)
Typical Thermal Resistance Junction to Lead
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating Junction and Storage
Temperature Range
Symbol
P
PPM
I
PPM
P
M(AV)
I
FSM
R
θJL
R
θJA
T
J
,T
STG
Value
20000
See Table 1
8.0
400.0
8.0
40
-55 to 150
Unit
W
A
W
A
°C/W
°C/W
°C
Notes:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA = 25°C per Fig. 2.
2. Mounted on copper pad area of 0.8”
×
0.8” (20
×
20mm)
3. 8.3ms single half sine wave, or equivalent square, duty cycle=4 pulses per minute maximum.
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com
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