AUIRFR48ZTRR,AUIRFR48ZTRR pdf中文资料,AUIRFR48ZTRR引脚图,AUIRFR48ZTRR电路-Datasheet-电子工程世界

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AUIRFR48ZTRR: 产品描述MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小663KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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AUIRFR48ZTRR概述

MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms

AUIRFR48ZTRR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	compliant
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	42 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	91 W
表面贴装	YES
Base Number Matches	1

AUIRFR48ZTRR相似产品对比

	AUIRFR48ZTRR	AUIRFR48Z	AUIRFR48ZTRL
描述	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms
是否Rohs认证	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
配置	Single	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID)	42 A	42 A	42 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	91 W	91 W	91 W
表面贴装	YES	YES	YES
Base Number Matches	1	1	-
包装说明	-	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
ECCN代码	-	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	-	26 weeks	16 weeks
其他特性	-	AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	-	110 mJ	110 mJ
外壳连接	-	DRAIN	DRAIN
最小漏源击穿电压	-	55 V	55 V
最大漏极电流 (ID)	-	42 A	42 A
最大漏源导通电阻	-	0.011 Ω	0.011 Ω
JEDEC-95代码	-	TO-252AA	TO-252AA
JESD-30 代码	-	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	-	e3	e3
湿度敏感等级	-	1	1
元件数量	-	1	1
端子数量	-	2	2
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	250 A	250 A
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	-	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	-	GULL WING	GULL WING
端子位置	-	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	-	30	30
晶体管应用	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON

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