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AUIRFR48ZTRL: 产品描述MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小663KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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AUIRFR48ZTRL概述

MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms

AUIRFR48ZTRL规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	16 weeks
其他特性	AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	110 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	42 A
最大漏极电流 (ID)	42 A
最大漏源导通电阻	0.011 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	91 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	250 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

AUIRFR48ZTRL相似产品对比

	AUIRFR48ZTRL	AUIRFR48Z	AUIRFR48ZTRR
描述	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms
是否Rohs认证	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	42 A	42 A	42 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	91 W	91 W	91 W
表面贴装	YES	YES	YES
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
Factory Lead Time	16 weeks	26 weeks	-
其他特性	AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE	-
雪崩能效等级（Eas）	110 mJ	110 mJ	-
外壳连接	DRAIN	DRAIN	-
最小漏源击穿电压	55 V	55 V	-
最大漏极电流 (ID)	42 A	42 A	-
最大漏源导通电阻	0.011 Ω	0.011 Ω	-
JEDEC-95代码	TO-252AA	TO-252AA	-
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	-
JESD-609代码	e3	e3	-
湿度敏感等级	1	1	-
元件数量	1	1	-
端子数量	2	2	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	250 A	250 A	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	-
端子形式	GULL WING	GULL WING	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	-
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-
Base Number Matches	-	1	1

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