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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJ10012
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MJ10012

产品描述10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB，共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MJ10012概述

10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3

10 A, 400 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-3

MJ10012规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
基于收集器的最大容量350 pF
集电极-发射极最大电压400 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值175 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）30000 ns
VCEsat-Max2.5 V

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(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN Silicon Power Darlington
Transistor
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 400 Vdc (Min)
•
175 Watts Capability at 50 Volts
•
Automotive Functional Tests
The MJ10012 and MJH10012 are high–voltage, high–current Darlington transistors
designed for automotive ignition, switching regulator and motor control applications.
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
REV 2
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes: 1/8″ from
Case for 5 Seconds
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Total Power Dissipation
@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
Emitter–Base Voltage
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
(RBE = 27
Ω)
Collector–Emitter Voltage
Characteristic
Rating
Symbol
Symbol
TJ, Tstg
VCBO
VCEO
VEBO
VCER
R
θJC
PD
TL
IC
IB
v
10%.
– 65 to + 200
MJ10012
BASE
275
175
100
1.0
1.0
Max
600
550
400
2.0
8.0
10
15
– 55 to + 150
MJH10012
≈
1k
118
47.5
1.05
0.95
275
COLLECTOR
≈
30
EMITTER
Watts
Watts
W/
_
C
_
C/W
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
_
C
_
C
MJ10012
MJH10012
10 AMPERE
POWER TRANSISTORS
DARLINGTON NPN
SILICON
400 VOLTS
175 AND 118 WATTS
CASE 340D–01
TO–218 TYPE
MJH10012
Order this document
by MJ10012/D
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
MJ10012
1

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