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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SI3475DV-T1-E3

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SI3475DV-T1-E3: 产品描述MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小105KB，共7页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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SI3475DV-T1-E3概述

MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V

SI3475DV-T1-E3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	,
Reach Compliance Code	compliant
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.95 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	3.2 W
表面贴装	YES
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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