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CMPT918-TR

产品描述USB Interface IC USB to UART Bdg Chip
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小395KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMPT918-TR概述

USB Interface IC USB to UART Bdg Chip

CMPT918-TR规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max15 V
Collector- Base Voltage VCBO30 V
Emitter- Base Voltage VEBO3 V
Collector-Emitter Saturation Voltage0.4 V
Maximum DC Collector Current0.05 A
Gain Bandwidth Product fT600 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min20 at 3 mA at 1 V
高度
Height
0.96(Max) mm
长度
Length
3.05(Max) mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Reel
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
350 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
宽度
Width
1.4(Max) mm
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

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CMPT918
SURFACE MOUNT
NPN SILICON
RF TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT918 type
is an NPN silicon RF transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high frequency
(VHF/UHF) amplifier and oscillator applications.
MARKING CODE: C3B
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
30
15
3.0
50
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
fT
Cob
Cob
Cib
Pout
Gpe
NF
VCB=15V
IC=1.0μA
IC=3.0mA
IE=10μA
IC=10mA,
IC=10mA,
IB=1.0mA
IB=1.0mA
20
600
30
15
3.0
MAX
10
UNITS
nA
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
pF
mW
dB
dB
0.4
1.0
VCE=1.0V, IC=3.0mA
VCE=10V, IC=4.0mA, f=100MHz
VCB=0V, IE=0, f=1.0MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCB=15V, IC=8.0mA, f=500MHz
VCB=12V, IC=6.0mA, f=200MHz
VCE=6.0V, IC=1.0mA, RS=50Ω, f=60MHz
3.0
1.7
2.0
30
11
6.0
R5 (27-January 2010)

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