电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MJ16010

产品描述15 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 450 VOLTS 135 AND 175 WATTS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小266KB,共10页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MJ16010概述

15 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 450 VOLTS 135 AND 175 WATTS

MJ16010规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
基于收集器的最大容量400 pF
集电极-发射极最大电压450 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值175 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)2000 ns
VCEsat-Max3 V

文档预览

下载PDF文档
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MJ16010/D
MJ16010
Designer's
SWITCHMODE Series
NPN Silicon Power Transistors
These transistors are designed for high–voltage, high–speed, power switching in
inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for
line–operated switchmode applications. The MJ16012 and MJW16012 are selected
high gain versions of the MJ16010 and MJW16010 for applications where drive
current is limited.
Switching Regulators
Inverters
Solenoids
Relay Drivers
Motor Controls
Deflection Circuits
Fast Turn–Off Times — TC = 100°C
50 ns Inductive Fall Time (Typ)
90 ns Inductive Crossover Time (Typ)
800 ns Inductive Storage Time (Typ)
100
_
C Performance Specified for:
Reverse–Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Currents
Data Sheet
MJW16010
MJ16012*
MJW16012*
*Motorola Preferred Device
15 AMPERE
NPN SILICON
POWER TRANSISTORS
450 VOLTS
135 AND 175 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎ Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎ Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
VCEO
VCEV
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
MJ16010
MJ16012
MJW16010
MJW16012
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
450
850
6.0
15
20
10
15
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
Base Current — Continuous
— Peak (1)
Total Device Dissipation
@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
Derate above 25
_
C
Watts
1 75
100
1.0
135
53 8
1.11
W/
_
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to 200
– 55 to 150
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
MJ16010
MJ16012
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
TL
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Lead Temperature for Soldering
Purposes, 1/8″ from Case for
5 Seconds
1.0
0.93
_
C/W
_
C
275
CASE 340F–03
TO–247AE
MJW16010
MJW16012
(1) Pulse Test: Pulse Width
v
50
µs,
Duty Cycle
w
10%
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions
— The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.
REV 2
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
1

MJ16010相似产品对比

MJ16010 MJ16012
描述 15 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 450 VOLTS 135 AND 175 WATTS 15 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 450 VOLTS 135 AND 175 WATTS
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknow unknow
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 15 A 15 A
基于收集器的最大容量 400 pF 400 pF
集电极-发射极最大电压 450 V 450 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5 5
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 175 W 175 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 2000 ns 2000 ns
VCEsat-Max 3 V 3 V

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2837  1379  2402  2191  1810  21  6  33  49  37 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved