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CAT28F020TI-12

产品描述Flash Memory (256x8) 2M
产品类别存储    存储   
文件大小110KB,共16页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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CAT28F020TI-12概述

Flash Memory (256x8) 2M

CAT28F020TI-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP
包装说明8 X 20 MM, TSOP-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G32
长度18.4 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1

CAT28F020TI-12相似产品对比

CAT28F020TI-12 CAT28F020PI-12
描述 Flash Memory (256x8) 2M Flash Memory (256x8) 2M
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP DIP
包装说明 8 X 20 MM, TSOP-32 PLASTIC, DIP-32
针数 32 32
Reach Compliance Code not_compliant unknown
最长访问时间 120 ns 120 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32
长度 18.4 mm 42.03 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端子数量 32 32
字数 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 256KX8 256KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
编程电压 12 V 12 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 0.5 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8 mm 15.24 mm
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