RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | FLATPACK, R-CDFP-F2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 105 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | L BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
PTVA123501FCV1XWSA1 | PTVA123501ECV2XWSA1 | PTVA123501FCV1R250XTMA1 | |
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描述 | RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V | RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V | RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
包装说明 | FLATPACK, R-CDFP-F2 | - | FLATPACK, R-CDFP-F2 |
外壳连接 | SOURCE | - | SOURCE |
配置 | SINGLE | - | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 105 V | - | 105 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | L BAND | - | L BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F2 | - | R-CDFP-F2 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 2 | - | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C | - | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK | - | FLATPACK |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES | - | YES |
端子形式 | FLAT | - | FLAT |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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