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PTVA123501FCV1XWSA1

产品描述RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小400KB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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PTVA123501FCV1XWSA1概述

RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V

PTVA123501FCV1XWSA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLATPACK, R-CDFP-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压105 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFP-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

PTVA123501FCV1XWSA1相似产品对比

PTVA123501FCV1XWSA1 PTVA123501ECV2XWSA1 PTVA123501FCV1R250XTMA1
描述 RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
包装说明 FLATPACK, R-CDFP-F2 - FLATPACK, R-CDFP-F2
外壳连接 SOURCE - SOURCE
配置 SINGLE - SINGLE
最小漏源击穿电压 105 V - 105 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 L BAND - L BAND
JESD-30 代码 R-CDFP-F2 - R-CDFP-F2
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C - 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK - FLATPACK
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
表面贴装 YES - YES
端子形式 FLAT - FLAT
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON

 
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