RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
PTVA123501ECV2XWSA1 | PTVA123501FCV1R250XTMA1 | PTVA123501FCV1XWSA1 | |
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描述 | RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V | RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V | RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
包装说明 | - | FLATPACK, R-CDFP-F2 | FLATPACK, R-CDFP-F2 |
外壳连接 | - | SOURCE | SOURCE |
配置 | - | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | - | 105 V | 105 V |
FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | - | L BAND | L BAND |
JESD-30 代码 | - | R-CDFP-F2 | R-CDFP-F2 |
元件数量 | - | 1 | 1 |
端子数量 | - | 2 | 2 |
工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | - | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | FLATPACK | FLATPACK |
极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | - | YES | YES |
端子形式 | - | FLAT | FLAT |
端子位置 | - | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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