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IXSH15N120BD1: 产品描述IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小55KB，共2页; 制造商IXYS ( Littelfuse ); 官网地址http://www.ixys.com/

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IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	IGBT Transistors
制造商 Manufacturer	IXYS ( Littelfuse )
RoHS	Details
技术 Technology	Si
封装 / 箱体 Package / Case	TO-247-3
安装风格 Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	3.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage	+/- 20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
系列 Packaging	Tube
Continuous Collector Current	30 A
Continuous Collector Current Ic Max	30 A
高度 Height	21.46 mm
长度 Length	16.26 mm
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	30
宽度 Width	5.3 mm
单位重量 Unit Weight	0.229281 oz

	IXSH15N120BD1	IXST15N120BD1
描述	IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds	IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds
产品种类 Product Category	IGBT Transistors	IGBT Transistors
制造商 Manufacturer	IXYS ( Littelfuse )	IXYS ( Littelfuse )
RoHS	Details	Details
技术 Technology	Si	Si
封装 / 箱体 Package / Case	TO-247-3	TO-268-3
安装风格 Mounting Style	Through Hole	SMD/SMT
Configuration	Single	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1200 V	1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	3.4 V	3.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage	+/- 20 V	+/- 20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C
系列 Packaging	Tube	Tube
Continuous Collector Current	30 A	30 A
Continuous Collector Current Ic Max	30 A	30 A
高度 Height	21.46 mm	5.1 mm
长度 Length	16.26 mm	16.05 mm
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	30	30
宽度 Width	5.3 mm	14 mm
单位重量 Unit Weight	0.229281 oz	0.158733 oz

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