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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BC856BTA
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BC856BTA

产品描述Bipolar Transistors - BJT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小35KB，共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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BC856BTA在线购买

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BC856BTA概述

Bipolar Transistors - BJT

BC856BTA规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category		Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer		Diodes
RoHSNo
安装风格
Mounting Style		SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		SOT-23-3
Transistor PolarityPNP
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max65 V
Collector- Base Voltage VCBO80 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum DC Collector Current0.1 A
Gain Bandwidth Product fT150 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min220 at 2 mA at 5 V
DC Current Gain hFE Max220 at 2 mA at 5 V
高度
Height		1 mm
长度
Length		3.05 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		- 55 C
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation		330 mW
宽度
Width		1.4 mm
单位重量
Unit Weight		0.000282 oz

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SOT23 PNP SILICON PLANAR
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
ISSUE 6 - APRIL 1997
PARTMARKING DETAILS
BC856A–3A
BC856B–Z3B
BC857A–Z3E
BC857B–3F
BC857C–3G
BC858A–3J
BC858B–3K
BC858C–3L
BC859A–Z4A
BC859B–4B
BC859C–Z4C
BC860A–Z4E
BC860B–4F
BC860C–4GZ
COMPLEMENTARY TYPES
BC856
BC857
BC858
BC859
BC860
BC846
BC847
BC848
BC849
BC850
BC856
BC858
BC860
BC857
BC859
C
B
SOT23
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
BC856
BC857
BC858
BC859
BC860
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Pulse Current
Base Current
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage
Temperature Range
PARAMETER
SYMBOL
Max
Collector Cut-Off Current I
CBO
Max
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
EM
I
BM
I
EM
P
tot
T
j
:T
stg
-80
-80
-65
-50
-50
-45
-30
-30
-30
-30
-30
-30
-5
-100
-200
-200
-200
330
-55 to +150
-50
-50
-45
UNIT
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
BC856 BC857 BC858 BC859 BC860
-15
-4
-75 -75
-300 -300
-75
-300
-250
-650
-300
-600
-700
-850
-600 -600
-650 -650
-750 -750
-600
-650
-750
-820
-580 -580
-650 -650
-750 -750
-75 -75
-250 -250
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
Typ
Max.
Typ
Max.
Typ
Max.
V
BE(sat)
Typ
Typ
UNIT CONDITIONS.
nA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V
µ
A
Tamb=150°C
mV I
C
=-10mA,
I
B
=-0.5mA
mV I
C
=-100mA,
I
B
=-5mA
mV I
C
=-10mA*
mV
mV
mV
mV
I
C
=-10mA,
I
B
=-0.5mA
I
C
=-100mA,
I
B
=-5mA
I
C
=-2mA
V
CE
=-5V
I
C
=-10mA
V
CE
=-5V
Base-Emitter Voltage
V
BE
Min
Typ
Max
Max
* Collector-Emitter Saturation Voltage at I
C
= 10mA for the characteristics going through the
operating point I
C
= 11mA, V
CE
= 1V at constant base current.

BC856BTA相似产品对比

BC856BTA BC856BTC BC857BTA BC857BUSTA
描述 Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT
产品种类
Product Category		 Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer		 Diodes Diodes Diodes Diodes
RoHS No No No No
安装风格
Mounting Style		 SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
单位重量
Unit Weight		 0.000282 oz 0.000282 oz 0.000282 oz 0.000282 oz
Transistor Polarity PNP PNP PNP -
Configuration Single Single Single -
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 65 V 65 V 45 V -
Collector- Base Voltage VCBO 80 V 80 V 50 V -
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V 5 V 5 V -
Maximum DC Collector Current 0.1 A 0.1 A 0.1 A -
Gain Bandwidth Product fT 150 MHz 150 MHz 150 MHz -
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		 + 150 C + 150 C + 150 C -
DC Collector/Base Gain hfe Min 220 at 2 mA at 5 V 220 at 2 mA at 5 V 220 -
DC Current Gain hFE Max 220 at 2 mA at 5 V 220 at 2 mA at 5 V 220 at 2 mA at 5 V -
高度
Height		 1 mm 1 mm 1 mm -
长度
Length		 3.05 mm 3.05 mm 3.05 mm -
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		 - 55 C - 55 C - 55 C -
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation		 330 mW 330 mW 330 mW -
宽度
Width		 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm -

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