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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CM1203-01CP
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CM1203-01CP

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, 1.06 X 0.93 MM, 0.670 MM HEIGHT, CSP-4
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小239KB，共7页
制造商California Micro Devices
标准
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CM1203-01CP概述

Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, 1.06 X 0.93 MM, 0.670 MM HEIGHT, CSP-4

CM1203-01CP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称California Micro Devices
零件包装代码CSP
包装说明R-PBGA-B4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PBGA-B4
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）250
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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CM1203
1, 2 and 3-Channel ESD Arrays in CSP
Features
•
•
•
•
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•
•
Functionally and pin compatible with CMD’s
CSPESD301/302/303 family of devices
OptiGuard
™
coated for improved reliability at
assembly
1, 2 or 3 channels of ESD protection
±15kV ESD protection (IEC 61000-4-2, contact
discharge)
±30kV ESD protection (HBM)
Supports both AC and DC signal applications
Low leakage current (<100nA)
Chip Scale Package features extremely low lead
inductance for optimum ESD and filter perfor-
mance
4 bump, 1.06 x 0.93mm footprint Chip Scale Pack-
age (CSP)
Lead-free version available
Product Description
The CM1203 comprises a family of 1, 2, and 3-channel
ESD protection arrays, which integrate two, three and
four identical avalanche-style diodes. It is intended that
one of these diodes is connected to GND and the other
diodes provide ESD protection for up to 3 lines
depending upon the configuration utilized. The back-
to-back diode connections provide ESD protection for
nodes that have AC signals up to 5.9V peak. These
devices provide a very high level of protection for sen-
sitive electronic components that may be subjected to
electrostatic discharge (ESD).
The diodes are
designed and characterized to safely dissipate ESD
strikes of ±15kV, well beyond the maximum require-
ments of the IEC 61000-4-2 international standard.
Using the MIL-STD-883 (Method 3015) specification
for Human Body Model (HBM) ESD, these devices pro-
tect against contact discharges of greater than ±30kV.
The diodes also provide some EMI filtering, when used
in combination with a PCB trace or series resistor.
These devices are particularly well-suited for portable
electronics (e.g. cellular telephones, PDAs, notebook
computers) because of their small package format and
easy-to-use pin assignments.
The CM1203 incorporates OptiGuard
™
coating which
results in improved reliability at assembly. The CM1203
is available in a space-saving, low-profile, chip-scale
package with optional lead-free finishing.
•
•
Applications
•
•
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•
•
•
I/O port protection
EMI filtering for data ports
Cellphones, notebook computers, PDAs
Wireless Handsets
MP3 Players
Digital Still Cameras
Handheld PCs
Electrical Schematics
A2
B1
A2
B1
B2
A1
A2
B1
B2
CM1203-01
CM1203-02
CM1203-03
©
2004 California Micro Devices Corp. All rights reserved.
06/28/04
430 N. McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035-5112
●
Tel: 408.263.3214
●
Fax: 408.263.7846
●
www.calmicro.com
1

CM1203-01CP相似产品对比

CM1203-01CP CM1203-03CS CM1203-02CP CM1203-03CP CM1203-01CS CM1203-02CS
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, 1.06 X 0.93 MM, 0.670 MM HEIGHT, CSP-4 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 3 Element, Silicon, 1.06 X 0.93 MM, 0.670 MM HEIGHT, CSP-4 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 2 Element, Silicon, 1.06 X 0.93 MM, 0.670 MM HEIGHT, CSP-4 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 3 Element, Silicon, 1.06 X 0.93 MM, 0.670 MM HEIGHT, CSP-4 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, 1.06 X 0.93 MM, 0.670 MM HEIGHT, CSP-4 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 2 Element, Silicon, 1.06 X 0.93 MM, 0.670 MM HEIGHT, CSP-4
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 California Micro Devices California Micro Devices California Micro Devices California Micro Devices California Micro Devices California Micro Devices
零件包装代码 CSP CSP CSP CSP CSP CSP
包装说明 R-PBGA-B4 R-PBGA-B4 R-PBGA-B4 R-PBGA-B4 R-PBGA-B4 R-PBGA-B4
针数 4 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE COMMON BIPOLAR TERMINAL, 3 ELEMENTS COMMON BIPOLAR TERMINAL, 2 ELEMENTS COMMON BIPOLAR TERMINAL, 3 ELEMENTS SINGLE COMMON BIPOLAR TERMINAL, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PBGA-B4 R-PBGA-B4 R-PBGA-B4 R-PBGA-B4 R-PBGA-B4 R-PBGA-B4
JESD-609代码 e1 e0 e1 e1 e0 e0
元件数量 1 3 2 3 1 2
端子数量 4 4 4 4 4 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度） 250 220 250 250 220 220
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN LEAD TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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