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MJE3055T

产品描述POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小36KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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MJE3055T概述

POWER TRANSISTOR

功率晶体管

MJE3055T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2 MHz
Base Number Matches1

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MJE3055T
MJE3055T
General Purpose and Switching Applications
• DC Current Gain Specified to I
C
=10A
• High Current Gain-Bandwidth Product : f
T
= 2MHz (Min.)
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C
T
J
T
STG
Collector -Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25°C)
Collector Dissipation (T
a
=25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
70
60
5
10
6
75
0.6
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CEO
I
CEO
I
CEX1
I
CEX2
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Collector Cut-off Current
Test Condition
I
C
= 200mA, I
B
= 0
V
CE
= 30V, I
B
= 0
V
CE
= 70V, V
BE
(off) = -1.5V
V
CE
= 70V, V
BE
(off) = -1.5V
@ T
C
= 150°C
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 4V, I
C
= 4A
V
CE
= 4V, I
C
= 10A
I
C
= 4A, I
B
= 0.4A
I
C
= 10A, I
B
= 3.3A
V
CE
= 4V, I
C
= 4A
V
CE
= 10V, I
C
= 500mA
2
20
5
Min.
60
Max.
700
1
5
5
100
1.1
8
1.8
V
V
V
MHz
Units
V
µA
mA
mA
mA
Emitter Cut-off Current
*DC Current Gain
*Collector-Emitter Saturation Voltage
*Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
* Pulse test: PW≤300µs, duty cycle≤2% Pulse
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, February 2001

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描述 POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR

 
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