MBR30H200CT_T0_00001,MBR30H200CT_T0_00001 pdf中文资料,MBR30H200CT_T0_00001引脚图,MBR30H200CT_T0

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBR30H200CT_T0_00001

MBR30H200CT_T0_00001: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,; 产品类别分立半导体二极管; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR30H200CT_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

MBR30H200CT_T0_00001规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.9 V
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流	275 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	3
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	15 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向电流	0.6 µA
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE

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