TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 15A / I
CRM
= 30A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
ElektrischeEigenschaften
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesV
CEsat
MechanischeEigenschaften
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
•
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
ElectricalFeatures
• Lowinductivedesign
• LowSwitchingLosses
• LowV
CEsat
MechanicalFeatures
• Al
2
O
3
SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
•
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:CM
approvedby:MB
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
1200
15
20
30
145
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
5,0
typ.
2,05
2,50
2,60
5,8
0,075
0,0
0,875
0,045
0,04
0,04
0,04
0,025
0,026
0,027
0,27
0,31
0,32
0,02
0,03
0,035
0,40
0,60
0,64
0,37
0,53
0,54
48
0,95
0,80
150
max.
2,40
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 0,50 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 35
Ω
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 35
Ω
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 35
Ω
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 35
Ω
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= 15 V, di/dt = 700 A/µs (T
vj
= 150°C)
R
Gon
= 35
Ω
6,5
1,0
100
t
r
t
d off
t
f
E
on
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= 15 V, du/dt = 2800 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 35
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
1,05 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
15
50
40,0
34,0
typ.
1,75
1,75
1,75
36,0
38,0
38,0
1,05
2,10
2,40
0,40
0,66
0,70
1,30
1,05
150
max.
2,15
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 1300 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 1300 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 1300 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
1,45 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,3-Level/IGBT,3-Level
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
I
CN
650
30
15
25
60
150
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
4,9
typ.
1,20
1,25
1,25
5,8
0,30
0,0
1,65
0,051
0,035
0,035
0,035
0,01
0,012
0,013
0,34
0,38
0,39
0,045
0,07
0,075
0,19
0,26
0,28
0,47
0,60
0,64
210
150
0,90
max.
1,45
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
A
V
A
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 0,30 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 15
Ω
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 15
Ω
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 15
Ω
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 15
Ω
6,5
1,0
100
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 40 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= 15 V, di/dt = 1300 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 15
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 40 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= 15 V, du/dt = 2600 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 15
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
8 µs, T
vj
= 25°C
t
P
≤
6 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
1,00 K/W
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
R
thCH
T
vj op
-40
0,85
150
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Diode,3-Level/Diode,3-Level
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
650
15
30
32,0
28,0
typ.
max.
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 700 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 700 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 700 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
proDiode/perdiode
1,45 t.b.d.
1,35
1,30
13,0
15,0
16,0
0,60
1,00
1,15
0,12
0,18
0,22
1,95
1,35
150
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
2,15 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
min.
-5
typ.
5,00
3375
3411
3433
max.
5
20,0
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
5
Microchip MCU
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