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BCW30T116

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 100MA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小214KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BCW30T116概述

Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 100MA

BCW30T116规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量7 pF
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)210
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

BCW30T116相似产品对比

BCW30T116 BCW70T116 BCW61CT116
描述 Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 100MA Bipolar Transistors - BJT PNP 45V 100MA Precision Amplifiers Dual Hi-Precision
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.2 A
基于收集器的最大容量 7 pF 7 pF 5 pF
集电极-发射极最大电压 32 V 45 V 32 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 210 210 250
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 180 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V 0.3 V
Base Number Matches 1 1 1
Is Samacsys N - N
其他特性 - LOW NOISE LOW NOISE
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