Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 100MA
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量 | 7 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 32 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 210 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
| VCEsat-Max | 0.3 V |
| Base Number Matches | 1 |
| BCW30T116 | BCW70T116 | BCW61CT116 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 100MA | Bipolar Transistors - BJT PNP 45V 100MA | Precision Amplifiers Dual Hi-Precision |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 7 pF | 7 pF | 5 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 32 V | 45 V | 32 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 210 | 210 | 250 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz | 250 MHz | 180 MHz |
| VCEsat-Max | 0.3 V | 0.3 V | 0.3 V |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| Is Samacsys | N | - | N |
| 其他特性 | - | LOW NOISE | LOW NOISE |
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