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1N5710B

产品描述Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共1页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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1N5710B概述

Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7

1N5710B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压65 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比3.2
标称二极管电容100 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数150
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1

1N5710B相似产品对比

1N5710B 1N5710A 1N5710
描述 Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7 Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7 Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 65 V 65 V 65 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管电容容差 5% 10% 20%
最小二极管电容比 3.2 3.2 3.2
标称二极管电容 100 pF 100 pF 100 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码 DO-7 DO-7 DO-7
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.4 W 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小质量因数 150 150 150
表面贴装 NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
变容二极管分类 ABRUPT ABRUPT ABRUPT
Base Number Matches 1 1 1
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