200V LOGIC N-Channel MOSFET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild |
零件包装代码 | TO-262AA |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 180 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 10 A |
最大漏极电流 (ID) | 10 A |
最大漏源导通电阻 | 0.38 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 87 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
FQI10N20L | FQB10N20L | |
---|---|---|
描述 | 200V LOGIC N-Channel MOSFET | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild | Fairchild |
零件包装代码 | TO-262AA | D2PAK |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | D2PAK-3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 180 mJ | 180 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 10 A | 10 A |
最大漏极电流 (ID) | 10 A | 10 A |
最大漏源导通电阻 | 0.38 Ω | 0.38 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 87 W | 87 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A | 40 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved