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FQI10N20L

产品描述200V LOGIC N-Channel MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小574KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FQI10N20L概述

200V LOGIC N-Channel MOSFET

FQI10N20L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-262AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)180 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.38 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)87 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FQI10N20L相似产品对比

FQI10N20L FQB10N20L
描述 200V LOGIC N-Channel MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
零件包装代码 TO-262AA D2PAK
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 D2PAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 180 mJ 180 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10 A 10 A
最大漏极电流 (ID) 10 A 10 A
最大漏源导通电阻 0.38 Ω 0.38 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 87 W 87 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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