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FJNS4206R

产品描述PNP Epitaxial Silicon Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FJNS4206R概述

PNP Epitaxial Silicon Transistor

FJNS4206R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-92S
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.76
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)68
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
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