电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

si4931dy

eeworld网站中关于si4931dy有7个元器件。有SI4931DY、SI4931DY_05等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SI4931DY Vishay(威世) Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET 下载
SI4931DY_05 Vishay(威世) Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET 下载
SI4931DY-E3 Vishay(威世) VISHAY SILICONIX - SI4931DY-T1-E3 - DUAL P CHANNEL MOSFET; -12V; SOIC; FULL REEL 下载
SI4931DY-T1 Vishay(威世) VISHAY SILICONIX - SI4931DY-T1-E3 - DUAL P CHANNEL MOSFET; -12V; SOIC; FULL REEL 下载
SI4931DY-T1-E3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.7A 栅源极阈值电压:1V @ 350uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 8.9A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:双P沟道 下载
SI4931DY-T1-E3 台湾微碧(VBsemi) Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET 下载
SI4931DY-T1-GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.7A 栅源极阈值电压:1V @ 350uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 8.9A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:双P沟道 下载
关于si4931dy相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
SI4931DY-T1-E3 、 SI4931DY-T1-GE3 下载文档
SI4931DY-E3 、 SI4931DY-T1 下载文档
SI4931DY 、 SI4931DY_05 下载文档
si4931dy资料比对:
型号 SI4931DY SI4931DY_05
描述 Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   9U B0 B4 BJ BW C7 E2 EH FD FE SW VQ X6 X7 YD

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved