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si4488dy

eeworld网站中关于si4488dy有7个元器件。有SI4488DY、SI4488DY_06等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SI4488DY Vishay(威世) MOSFET 150V 5A 3.1W 下载
SI4488DY_06 Vishay(威世) N-Channel 150-V (D-S) MOSFET 下载
SI4488DY-E3 Vishay(威世) MOSFET 150V 5A 3.1W 下载
SI4488DY-T1 Vishay(威世) MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8 下载
SI4488DY-T1-E3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道 下载
SI4488DY-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8 下载
SI4488DY_V01 Vishay(威世) N-Channel 150-V (D-S) MOSFET 下载
关于si4488dy相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
SI4488DY 、 SI4488DY-E3 下载文档
SI4488DY_06 下载文档
SI4488DY-T1-GE3 下载文档
SI4488DY-T1-E3 下载文档
SI4488DY-T1 下载文档
si4488dy资料比对:
型号 SI4488DY SI4488DY-E3
描述 MOSFET 150V 5A 3.1W MOSFET 150V 5A 3.1W
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
Is Samacsys N N
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.5 A 3.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.1 W 3.1 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
Base Number Matches 1 1
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