| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| SI4488DY | Vishay(威世) | MOSFET 150V 5A 3.1W | 下载 |
| SI4488DY_06 | Vishay(威世) | N-Channel 150-V (D-S) MOSFET | 下载 |
| SI4488DY-E3 | Vishay(威世) | MOSFET 150V 5A 3.1W | 下载 |
| SI4488DY-T1 | Vishay(威世) | MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8 | 下载 |
| SI4488DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道 | 下载 |
| SI4488DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8 | 下载 |
| SI4488DY_V01 | Vishay(威世) | N-Channel 150-V (D-S) MOSFET | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| SI4488DY 、 SI4488DY-E3 | 下载文档 |
| SI4488DY_06 | 下载文档 |
| SI4488DY-T1-GE3 | 下载文档 |
| SI4488DY-T1-E3 | 下载文档 |
| SI4488DY-T1 | 下载文档 |
| 型号 | SI4488DY | SI4488DY-E3 |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 150V 5A 3.1W | MOSFET 150V 5A 3.1W |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| Is Samacsys | N | N |
| 配置 | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.5 A | 3.5 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 | e3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3.1 W | 3.1 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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