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ZXMN4A06GTA

在4个相关元器件中,ZXMN4A06GTA有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
ZXMN4A06GTA Zetex Semiconductors 5 A, 40 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
ZXMN4A06GTA 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 下载
ZXMN4A06GTA Diodes 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 N沟道,40V,5A,50mΩ@10V 下载
ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated MOSFET 40V N-Chnl UMOS 下载
ZXMN4A06GTA的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 N沟道,40V,5A,50mΩ@10V

参数
参数名称属性值
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻50mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W
类型N沟道
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