| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| ZXMN4A06GTA | Zetex Semiconductors | 5 A, 40 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 下载 |
| ZXMN4A06GTA | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | 下载 |
| ZXMN4A06GTA | Diodes | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 N沟道,40V,5A,50mΩ@10V | 下载 |
| ZXMN4A06GTA | Diodes Incorporated | MOSFET 40V N-Chnl UMOS | 下载 |
漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 N沟道,40V,5A,50mΩ@10V
| 参数名称 | 属性值 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 5A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W |
| 类型 | N沟道 |
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