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VT6Z1T2R

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器件名 厂商 描 述 功能
VT6Z1T2R ROHM(罗姆半导体) Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 下载
VT6Z1T2R的相关参数为:

器件描述

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP

参数
参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ROHM(罗姆半导体)
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
VMT-6
Transistor PolarityNPN, PNP
ConfigurationDual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max20 V, - 20 V
Collector- Base Voltage VCBO20 V, - 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V, - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage120 mV, - 120 mV
Maximum DC Collector Current400 mA, - 400 mA
Gain Bandwidth Product fT350 MHz, 400 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Current Gain hFE Max560 at 1 mA at 2 V, 560 at - 1 mA at - 2 V
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
Continuous Collector Current200 mA, - 200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min120
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
150 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
8000
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